1、驅動(dòng)電路：由于IGBT的UCE(sat)和短路耐量之間的折衷關(guān)系，建議將柵極電壓選為+UG＝15V±10%，—UG =5~10V。柵極電阻與IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷特性密切相關(guān)，RG小時(shí)開(kāi)關(guān)損耗減少，開(kāi)關(guān)時(shí)間縮短，關(guān)斷脈沖電壓增大。應根據浪涌電壓和開(kāi)關(guān)損耗的最佳折衷關(guān)系（與頻率有關(guān)）選擇合適的RG值，一般選為10~27Ω。為防止柵極開(kāi)路，在柵極與發(fā)射極問(wèn)并聯(lián)20~30kΩ的電阻。
2、保護電路： IGBT模塊使用在高頻時(shí)，布線(xiàn)電感容易產(chǎn)生尖峰電壓，必須注意布線(xiàn)電感和組件的配置。應設的保護項目有：過(guò)電流保護、過(guò)電壓保護、柵極過(guò)壓及欠壓保護、安全工作區、過(guò)熱保護。
3、吸收電路：由于IGBT開(kāi)關(guān)速度快，容易產(chǎn)生浪涌電壓，所以必須設有浪涌鉗位電路。
4、IGBT 并聯(lián)使用時(shí)應考慮柵極電路的線(xiàn)路布線(xiàn)、電流不平衡和器件之間的溫度不平衡等問(wèn)題。
